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先導中心推出技術“狠活”：1200V 100A 三電平全碳化硅模塊新品發(fā)布
繼首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊發(fā)布后，先導中心又推出1200V 100A 三電平全碳化硅模塊新品。此模塊產(chǎn)品的芯片完全國產(chǎn)化，產(chǎn)品功率密度高、性能穩(wěn)定、損耗更低，可根據(jù)...
2024-04-22
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先導中心推出技術“狠活”：1200V 100A H橋全碳化硅模塊橫空出世
繼國內(nèi)首款3300V 60mΩSiC MOSFET發(fā)布后，陜西半導體先導技術中心又爆出“技術狠活”，推出其1200V 100A H橋全碳化硅模塊產(chǎn)品。
2024-03-22
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王曉督導檢查西安綜合性國家科學中心和科技創(chuàng)新中心建設工作
8月9日，省委常委、常務副省長王曉督導檢查西安綜合性國家科學中心和科技創(chuàng)新中心建設工作。
2023-08-11
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2021
12-19
先導中心田鴻昌博士受邀在第七屆全國新型半導體功率器件研討會做邀請報告
12月19日上午，陜西半導體先導技術中心有限公司副總經(jīng)理田鴻昌博士受邀參加第七屆全國新型半導體功率器...
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2021
12-15
先導中心開展碳化硅MOSFET模塊技術培訓
12月15日下午，陜西半導體先導技術中心有限公司開展了題為《SiC MOSFET模塊設計、測試與驅(qū)動保護技術》培訓。
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2021
12-03
先導中心即將推出1200V 20mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品
先導中心即將推出的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品SA1M12000020型號，采用自對準短溝道工藝，大幅度降低了器件...
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2021
11-23
先導中心申報的《1200V等級系列SiC高壓大功率器件芯片技術》獲得2021西安“好設計”作品
日前，陜西半導體先導技術中心所申報的《1200V等級系列SiC高壓大功率器件芯片技術》獲得2021西安“好設...
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2021
11-19
陜西半導體先導技術中心舉辦中試線通電儀式
11月18日上午，陜西半導體先導技術中心有限公司中試線通電儀式在西安半導體產(chǎn)業(yè)園舉行。通電儀式由公司...
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2021
11-16
半導體先導公司順利完成黨支部選舉
按照《中國共產(chǎn)黨章程》、《中國共產(chǎn)黨基層組織選舉工作條例》規(guī)定，中共陜西半導體先導技術中心有限公...
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