SiC功率元器件選型手冊

碳化硅元器件由于其材料自身的特性（寬禁帶寬度，高擊穿場強(qiáng)，低導(dǎo)通電阻，低熱阻等），相比于硅級元器件，適用于高結(jié)溫，高擊穿電壓，高功率，大電流等，滿足了當(dāng)下電力電子行業(yè)新的發(fā)展需求。

SiC肖特基勢壘二極管：超快開關(guān)速度，極小反向恢復(fù)電流，從而大大降低開關(guān)損耗并實現(xiàn)卓越能效。

SiC-MOSFET：低損耗，更快的開關(guān)速度，高阻斷電壓，適應(yīng)于最高600℃的高溫環(huán)境，可實現(xiàn)整個系統(tǒng)的小型化。

SiC功率模塊：多個碳化硅芯片模塊化集成封裝，進(jìn)一步提升了碳化硅功率器件的電流容量，相對于Si級功率模塊，開關(guān)損耗及體積均大幅下降。且其高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢，將極大地提高現(xiàn)有能源的轉(zhuǎn)換效率。

陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司成立于2018年4月，是在陜西省委省政府的支持下，聯(lián)合中國西電集團(tuán)公司、西安電子科技大學(xué)和西安高新區(qū)共同投資建設(shè)以企業(yè)化運(yùn)營模式成立的共性研發(fā)平臺。主要致力于加快半導(dǎo)體前沿關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新，推動先進(jìn)半導(dǎo)體器件和第三代半導(dǎo)體為核心的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新體系，服務(wù)于中國先進(jìn)半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和轉(zhuǎn)化，并主要面向全國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，開展公共服務(wù)，推動建立產(chǎn)線創(chuàng)新體系，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，突破中國半導(dǎo)體的“卡脖子”技術(shù)問題。

先導(dǎo)中心依托西電微電子學(xué)院開展SiC技術(shù)產(chǎn)業(yè)化工作，西電微電子學(xué)院是國內(nèi)最早從事碳化硅技術(shù)研發(fā)的單位，已經(jīng)有近三十年的積累，專利儲備數(shù)量國內(nèi)排名第一，全球前八。先導(dǎo)中心利用西電技術(shù)已經(jīng)研制出多款高性能碳化硅功率器件，主要器件均可實現(xiàn)國產(chǎn)替代，部分型號填補(bǔ)了國內(nèi)空白。

應(yīng)用領(lǐng)域：

新能源汽車:  充電樁、車載充電機(jī)（OBC）、壓縮機(jī)、DC/DC變換器、主電機(jī)驅(qū)動器等;

智能電網(wǎng)：儲能系統(tǒng)、換流閥、交流輸電設(shè)備、高壓直流斷路器、電力電子變壓器、無功補(bǔ)償設(shè)備、光伏逆變器等裝置中;

軌道交通： 牽引變流器、輔助變流器、電力電子變壓器等。

SiC SBD料號注釋：

SA1D065001SA./SA1D065001S(裸芯)

SA     ——先導(dǎo)中心

1      ——代際

D      —— 肖特基二極管

0650   ——額定電壓

01     —— 額定電流”

S      ——單芯       S：單芯   D:  雙芯

A      ——封裝        A:  TO-220AC(2pin)    C: TO-247(2pin)   D: TO-247(3pin)

SiC MOSFET料號注釋：

SA1M12000020D/SA1M12000020(裸芯)

SA       ——先導(dǎo)中心

1        ——代際

M       ——MOSFET

1200     ——額定電壓

0020     ——導(dǎo)通電阻

D        ——封裝 TO-247(3pin)